[发明专利]产生金属层虚拟图案的方法有效
| 申请号： | 01110336.1 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1378266A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 叶垂奇;张威彦 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种产生金属层虚拟图案的方法,其系于制作金属连线时,于原有具有固定布局的芯片上,提供一虚拟金属层图案,使芯片上各处的图案密度均匀,避免公知常见的负载效应问题,以利后续工艺,借以提升组件的可靠性,增加生产优良率。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 金属 虚拟 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种产生金属层虚拟图案的方法，适用于一金属内连线的制作，其特征在于：该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底包括一金属层图案密集区与一金属层图案稀疏区，其中该金属层图案密集区的金属层图案密度高于该金属层图案稀疏区；以及估计该金属层图案稀疏区的金属层图案密度，若其低于一特定值，则于该金属层图案稀疏区，提供一虚拟金属层图案，均匀化该基底上的金属层图案密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
