[发明专利]电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法无效
| 申请号： | 01110707.3 | 申请日： | 2001-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1381883A | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 周国煜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是揭露一种电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法,形成于一半导体基板上,其主要利用硅的局部氧化法以及蚀刻制造过程以于该半导体基板中形成U型凹槽,且在该U型凹槽与该半导体基板之间产生尖点,以使电子注入更加便利,进而降低组件的操作电压。此外,其形成的方法为自对准(self－aligned)制造过程,与现今标准的半导体制造过程技术兼容性高。 | ||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电可擦可编程只读存储器单元的制造方法，其特征是：包括下列各项步骤：提供一半导体基板，并于该半导体基板上形成一绝缘物，而该绝缘物具有鸟嘴状的一尖端；蚀刻该半导体基板使之形成一U型凹槽，且该U型凹槽是紧邻该绝缘物的该尖端；于该半导体基板中形成互为相隔的一对源/漏极区，且这些源/漏极区中之一者是包围该绝缘物的该尖端与该U型凹槽；以及于这些源/漏极间的该半导体基板上方依序形成一栅极介电层、一浮置栅极、一栅间介电层、与一控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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