[发明专利]半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件无效
| 申请号： | 01110857.6 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1311553A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 平田照二;成井启修 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能容易获得窗口结构而无需依赖先进工艺的半导体发光器件的制造方法。在本发明的方法中,使在衬底上形成的第一多层膜构成图案而形成凹槽图案,后者有加宽部分和在此加宽部分两旁的变窄部分。然后在此衬底上,通过相继生长n型第二下复层,第二活性层,p型第二上复层和p型盖层,从而外延生长第二多层膜来覆盖凹槽图案。然后使盖层形成图案,从而在凹槽图案内的第二多层膜上形成电流注入层,使得电流注入层沿着这凹槽图案的纵向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体发光器件的方法，所述半导体发光器件在衬底上有半导体发光元件，所述方法包括下面的步骤：使在所述衬底上形成的材料层构成图案，从而构成这样的凹槽图案，它有加宽部分和在所述加宽部分两侧的变窄部分，所述变窄部分的开口在宽度上比所述加宽部分的窄些；在所述衬底上形成多层膜来覆盖所述凹槽图案，所述多层膜包括下复层，活性层和具有不同于所述下复层的导电类型的上复层，其中所述各层按上述顺序堆叠；在所述多层膜上对应于所述凹槽图案的区域内形成电流注入层，以便所述电流注入层沿着所述凹槽图案的纵向伸展。
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