[发明专利]薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件有效
| 申请号： | 01110972.6 | 申请日： | 2001-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1312584A | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;广木正明;石丸典子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过蒸发借助于在所需位置选择地淀积用于形成EL层的材料从而形成EL层的方法。当用于形成EL层的材料被淀积时,在船形试样器皿(111)和衬底(110)之间提供一个掩模。通过对所述掩模(113)施加一个电压,用于形成EL层的EL材料的行进方向被控制,从而选择地使所述EL材料淀积在所需位置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 器件 方法 发光 | ||
【主权项】：
1．一种用于形成薄膜的方法，包括以下步骤：提供其内装有EL材料的船形试样器皿，其上具有电极的衬底和在船形试样器皿与衬底之间的掩模，使在所述船形试样器皿中的EL材料成为蒸汽状态，使所述呈蒸汽状态的EL材料从船形试样器皿中朝向衬底排出，以及使所述呈蒸汽状态的EL材料通过对应于所述电极的掩模的开口，从而使EL材料淀积在所述衬底上的电极上，并形成薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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