[发明专利]自旋阀磁电阻头的制造方法无效
| 申请号： | 01111296.4 | 申请日： | 1997-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1343969A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 大塚善德;沟下义文;越川誉生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造自旋阀磁电阻头的方法,制作具有第一磁化自由层和经过第一非磁性中间层的第一磁化钉扎层的第一自旋阀器件、具有第二磁化自由层和经过第二非磁性中间层的第二磁化钉扎层的第二自旋阀器件,由此使第一和第二磁化钉扎层磁化成互相逆平行和根据外磁场可转动地磁化第二磁化自由层。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁电 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造自旋阀磁电阻头的方法，包括步骤：在底基层上顺序形成第一反铁磁层、第一磁化钉扎层、第一非磁性中间层和第一磁化自由层；在所述的第一磁化自由层上形成非磁性绝缘层；在所述的非磁性绝缘层上顺序形成第二磁化自由层、第二非磁性中间层、第二磁化钉扎层和第二反铁磁层；和对所述的第一反铁磁层、所述的第一磁化钉扎层、所述的第一非磁性中间层、所述的第一磁化自由层、所述的非磁性绝缘层、所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层、所述的第二磁化钉扎层和所述的反铁磁层制作图形；从而由所述的第一反铁磁层到所述的第一磁化自由层组成第一自旋阀器件而所述的第二磁化自由层到所述的第二反铁磁层组成第二自旋阀器件。
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