[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 01111346.4 | 申请日： | 2001-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1320968A | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 菊地修一;西部荣次 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是确保高耐压MOS晶体管的耐压不变且能有低导通电阻,在本发明中,具有从在P型半导体衬底1内形成的N型阱区2上形成的第1栅氧化膜横跨到由选择性氧化膜构成的第2栅氧化膜8A上而形成的栅电极10;与该栅电极10邻接地形成的P型源区11;在与上述栅电极10隔开的位置上形成的P型漏区12;以及包围该漏区12而形成的P型漂移区(LP层4),其特征是还形成了P型杂质层(FP层7A)使其与上述漏区12邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有：从在第1导电型的半导体层上形成的第1栅氧化膜横跨到比上述第1栅氧化膜膜厚厚的第2栅氧化膜上而形成的栅电极；与该栅电极邻接而形成的第2导电型的源区；在与上述栅电极隔开的位置形成的第2导电型的漏区；以及包围该漏区而形成的第2导电型的漂移区，其特征是：与上述漏区邻接地形成了第2导电型杂质层。
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