[发明专利]具有双极型晶体管的高频功率放大器无效
| 申请号： | 01111800.8 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1318898A | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | 森冢宏平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F1/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种双极型晶体管,在镇流电阻小时仍具有良好电流分布均匀性,并且可以构成具有高效、低失真而且即使在对其输入数字调制波时失真恶化仍小的放大器。根据本发明的高频功率放大器包括多个具有双极型晶体管的晶体管块,其中各晶体管块包括电阻,与双极型晶体管的发射极相连;基准电压产生电路,用于产生作为双极型晶体管的基极偏置的基准电压;以及偏置产生电路,被连接到双极型晶体管的基极,偏置产生电路通过转换基准电压产生基极偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双极型 晶体管 高频 功率放大器 | ||
【主权项】：
1．一种高频功率放大器，该高频功率放大器包括：多个晶体管块，各所述晶体管块具有双极型晶体管；其中各所述晶体管块进一步包括：基准电压产生电路，用于产生作为所述双极型晶体管基极偏置的基准电压；偏置产生电路，被连接到所述双极型晶体管的基极，所述偏置产生电路通过转换所述基准电压产生基极偏置电压；以及电容器，用于进行高频输入，所述电容器被连接到所述双极型晶体管的基极。
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