[发明专利]多层布线构造的半导体装置及其制造方法

摘要

在用反射防止膜和光刻胶膜把接触孔填埋上之后,把光刻胶膜图形化为使得在接触孔上边剩下比该接触孔形成部分的开口还大的面积。以该图形化的光刻胶膜为掩模,除去反射防止膜。其次,在整个面上形成第2层间膜。使该第2层间膜平坦化,使光刻胶膜的至少是上表面完全露出来。最后,除去光刻胶膜和反射防止膜,形成接触孔和沟槽。

主权项

1．一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：在半导体衬底上边选择性形成布线的工序；在整个面上形成第1层间膜的工序；在上述第1层间膜上边形成第1反射防止膜的工序；在上述第1反射防止膜上边形成第1光刻胶膜的工序；使上述第1光刻胶膜图形化，以该图形化的第1光刻胶膜为掩模，除去上述第1反射防止膜和上述第1层间膜，形成使上述布线的表面露出来的接触孔的工序；除去上述第1光刻胶膜的工序；在整个面上形成第2反射防止膜，把上述接触孔的至少底面埋入进去的工序；在上述第2反射防止膜上边形成第2光刻胶膜的工序；把上述第2光刻胶膜图形化为使得在上述接触孔上边剩下上述第2光刻胶膜的工序；以上述图形化的第2光刻胶膜为掩模，除去上述第2反射防止膜，使上述第1层间膜的表面露出来的工序；在整个面上形成第2层间膜，把上述图形化的第2光刻胶膜和上述第2反射防止膜覆盖起来的工序；除去上述第2层间膜，使上述图形化的第2光刻胶膜的至少整个上表面都露出来的工序；除去上述图形化的第2光刻胶膜和上述第2反射防止膜，在上述第2层间膜内形成沟槽的工序。