[发明专利]斜切底材上的半导体发光二极管无效
| 申请号： | 01112063.0 | 申请日： | 2001-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1377095A | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郭立信;许靖豪;吴伯仁;许文士 | 申请（专利权）人： | 洲磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种以化合物半导体材料制成的发光二极管,它包括发射光的具有多重量子井结构的主动区域,主动区域被上下两层的InGaAlP与上层的包覆层夹持包覆。InGaAlP的外延层是用有机金属气相外延法(OMVPE)在GaAs底材上以倾斜角度;A形成,一斜切底材与较低层包覆层的电性相同。较高层包覆层的上面有第二种导电性的光线穿透层即电流扩散层,供电流扩散与发射光线的扩展。光线穿透层包括一个壅塞层、一个晶格梯度层及对于入射光线其能阶是透明的窗户层。 | ||
| 搜索关键词： | 斜切 底材上 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，它至少包括：一金属接触底座；一第一导电型GaAs底材，它在所述金属接触底座上面，所述底材沿A角度斜切，所述斜切角度大于10°；一所述第一导电型InGaAlP层，它位于所述底材上面；一主动层，它位于所述第一导电型InGaAlP层上面，所述主动层无原子次序；一第二导电型InGaAlP层，它位于所述主动层上面，其电性与所述第一导电型InGaAlP层相反；一窗户层，它位于所述第二导电型InGaAlP层上面；以及一金属接触顶座，它位于所述窗户层上面。
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