[发明专利]多波长面发射激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 01112110.6 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1335658A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李银京;郑敏亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于发射不同波长的光束的多波长面发射激光器,其包括集成在一个衬底上的下反射器、活性层和上反射器。制造方法为,形成一用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器;在第一面发射激光器的外表面上形成一保护膜、形成一用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器、蚀刻去除形成在保护膜上的第二下反射器、第二活性层和第二上反射层除去保护膜,并分别在第一和第二上反射层的上表面上形成第一和第二电极,在衬底的底面上形成一下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发射具有第一波长的光和第二波长的光的多波长面发射激光器，它包括：一个衬底；一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，它直接形成在衬底上表面的一部分上，并包括一个通过交替淀积两种具有相同类型的杂质但折射率不同的半导体材料而形成的一个第一下反射器、一个第一活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第一下反射器的相反的半导体材料层形成的第一上反射器；一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，它直接形成在衬底上表面邻近第一面发射激光器的部分上，并包括通过交替淀积两个具有不同折射率和相同类型杂质的半导体层而形成的第二下反射器、一个第二活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第二下反射器的相反的半导体材料层形成的第二上反射器；和分别形成在衬底的一个表面及第一、第二上反射器上的用于供电的一个下电极层及第一、第二上电极。
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