[发明专利]反向短沟道效应的减少无效
| 申请号： | 01112163.7 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1319880A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | J·S·布朗;S·S·弗卡伊;小R·J·高蒂尔;D·W·马丁;J·A·斯林克曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/24;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明了一种具有减少的反向短沟道效应的FET,还说明了制造所说FET的方法。锗被注入到整个半导体基片中,其强度和剂量使峰值离子浓缩区建立在FET的源和漏极之下。锗可以在栅极和源及漏极形成之前注入,并减少在正常情况下能在FET中见到的反向短沟道效应。在正常情况下在FET中出现的短沟道效应不会因锗的注入而有负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 沟道 效应 减少 | ||
【主权项】：
1．一种在制造半导体器件的方法中的改进，该半导体器件具有在半导体基片上形成的栅极和在半导体基片中形成的扩散区，该改进包括：将中性掺杂剂覆盖式注入到所说的半导体基片中，其能量剂量足以将所说的中性掺杂剂注入到其深度大于所说的扩散区的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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