[发明专利]改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法有效
| 申请号： | 01112326.5 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1378241A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 庄岳镇 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/306;H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法,可应用于半导体制程的纯硅晶层中,在纯硅晶层上方具有自然氧化层,并藉由低能量离子植入方式将砷离子打入此纯硅晶层中;再经由稀氢氟酸清洗以除去纯硅晶层上方的自然氧化层,再由稀氢氯酸清洗以除去纯硅晶层表面的污染物,以及由臭氧水浸洗以形成化学氧化层于纯硅晶层上方;并经快速加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构;完成半导体制程中的低能量离子植入制程。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 能量 离子 植入 电阻 量测值 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，该方法包括下列步骤：藉由低能量离子植入方式将离子打入该纯硅晶层中；经由清洗与氧化步骤以保护芯片表面与延缓表面状态随时间改变的速度；以及经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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