[发明专利]用于降低源漏极间电阻的MOS场效应管及其制造方法有效
| 申请号： | 01112356.7 | 申请日： | 2001-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1335648A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | 梁正焕;金永郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于降低源极和漏极之间电阻的MOS场效应管,包括连续地形成在半导体衬底上的一个栅绝缘层和一个栅电极。深源/漏区形成在半导体衬底上部的栅电极两侧。源/漏延伸区形成在半导体衬底的上部,从深源/漏区向沟道区延伸至栅电极以下,比深源/漏区薄。在每个深源/漏区的表面上形成一个具有第一厚度的第一硅化物层部分。形成一个具有薄于第一硅化物层第一厚度的第二厚度的第二硅化物层部分,并从第一硅化物层部分延伸到每个源/漏延伸区的预定上部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 源漏极间 电阻 mos 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS场效应晶体管，包括：一个半导体衬底；一个形成在半导体衬底上的一个栅绝缘层；和一个形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在半导体衬底上部栅电极各侧的深源/漏区；形成在半导体衬底的上部、从深源/漏区向沟道区延伸至栅电极以下的源/漏延伸区，源/漏延伸区比深源/漏区薄；具有第一厚度的第一硅化物层部分，第一硅化物层部分形成在每个深源/漏区的上表面；和一个具有薄于硅化物层第一厚度的第二厚度的第二硅化物层部分，该部分从第一硅化物层部分延伸到每个源/漏延伸区的预定上部。
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