[发明专利]基于绝缘体上的硅(SOI)材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法无效

专利信息
申请号: 01113309.0 申请日: 2001-07-07
公开(公告)号: CN1160894C 公开(公告)日: 2004-08-04
发明(设计)人: 江晓清;王明华;李柏阳;李锡华;周强 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H04J14/02 分类号: H04J14/02;H04B10/12;G02B6/12;G02B6/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 31002*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 基于SOI材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法,包含输入输出波导、输入输出平板波导,特点是在输入输出平板波导之间依次是弧形过渡连接波导、阵列直波导、全内反射波导、阵列直波导、弧形过渡连接波导,输入输出波导的轴线相垂直。制法是根据确定的参数,以TE、TM模相位差的2π整数倍来确定阵列波导所需长度和全内反射角,采用基本硅器件制作工艺制作。本器件结构紧凑、尺寸小、对TE、TM模偏振不敏感。
搜索关键词: 基于 绝缘体 soi 材料 反射 阵列 波导 光栅 器件 制法
【主权项】:
1、一种基于绝缘体上的硅(SOI)材料的全内反射型阵列波导光栅器件,包含输入波导(1)、输入平板波导(2)、输出平板波导(8)、输出波导(9),其特征在于:在输入平板波导(2)和输出平板波导(8)之间依次设置弧形过渡连接波导(3)、阵列直波导(4)、全内反射波导(5)、阵列直波导(6)、弧形过渡连接波导(7),并依次连接,弧形过渡连接波导(3)与输入平板波导(2)连接,弧形过渡连接波导(7)与输出平板波导(8)连接,输入输出波导(1、9)的轴线相互垂直。
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