[发明专利]在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法无效
| 申请号： | 01113449.6 | 申请日： | 2001-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1153076C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 唐衍哲;王文辉;李铁;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法，属于平面型光耦合的领域。其特征在于以绝缘层上硅为原料，利用硅在各向异性腐蚀液中的性质，提出一套制作多模干涉耦合器的简便方法。输入输出波导满足单模条件，多模波导区为矩形波导，侧壁垂直且波导侧壁非常平整，多模区波导与输入输出波导的连接处是在腐蚀中自动形成的喇叭型过渡区。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 材料 制作 干涉 耦合器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法，其特征在于：(1)以绝缘层上的硅为原材料，在(100)晶向的绝缘层上的硅材料表面热氧化一层二氧化硅；(2)光刻形成输入输出波导及它们与多模区过渡的喇叭口的图形；(3)各向异性腐蚀液中腐蚀硅，腐蚀时间控制在腐蚀深度满足脊型波导的单模条件；(4)去二氧化硅；(5)绝缘层上的硅材料表面再次热氧化一层二氧化硅；(6)二次光刻形成多模波导区的图形，腐蚀二氧化硅；(7)在各向异性腐蚀液中腐蚀硅，腐蚀时间控制在绝缘层上的硅材料上层硅腐蚀完为止；(8)去二氧化硅层；(9)最终在绝缘层上的硅材料表面热氧化一层二氧化硅。
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