[发明专利]生产半导体纯度级原料的高真空度电子束提纯系统有效
| 申请号： | 01114653.2 | 申请日： | 2001-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1136323C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李明远;陈迎春;陈锦来;李欣洋 | 申请（专利权）人： | 李明远 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王雄杰 |
| 地址： | 518029广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及生产半导体纯度级原料的高真空度电子束提纯系统，其特征在于：在超高真空室内设置提纯炉，通过高精度计算机控制系统控制电子枪发射高功率密度电子束流对提纯炉中被提纯材料进行间接加热，使其金属或非金属杂质达到其蒸发温度后蒸发生产半导体纯度级原料。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 半导体 纯度 原料 真空 电子束 提纯 系统 | ||
【主权项】：
1、生产半导体纯度级原料的高真空度电子束提纯系统，其特征在于：在超高真空室内设置提纯炉，通过电子枪发射高功率密度电子束流对提纯炉中被提纯材料进行间接加热，使其金属或非金属杂质达到其蒸发温度后蒸发生产半导体纯度级原料。
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