[发明专利]非挥发性铁电内存感测方法无效
| 申请号： | 01116033.0 | 申请日： | 2001-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1385858A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 林金溪;翁启明 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一个铁电电容存储单元内包括两晶体管分别连接两铁电电容,两铁电电容储存互补的极化状态,以定义出所储存资料,电容驱动线分别连接两铁电电容的一极板,字符线连接两晶体管的栅极,两位线分别连接两晶体管的源极或漏极,根据本发明侦测存储单元方法,预充位线到逻辑1位准,设定字符线和电容驱动线到逻辑0位准,拉升字符线至逻辑1位准,接着拉升电容驱动线至逻辑1位准后,再开启感应放大器以检测出两位线的电压差并读出资料,接着移除电容驱动线外加电压,以回复铁电电容原先储存的极化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 内存 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以感测一以一字符线，两条位线和一条电容驱动线所驱动包含两晶体管和两铁电电容的非挥发性铁电电容内存电路的方法，其中该两条位线连接至一感应放大器，该方法至少包含下列步骤：驱动该两条位线至逻辑电压值“1”位准；驱动该条电容驱动线至逻辑电压值“1”位准；以及开启该感应放大器以读出该两条字符线的逻辑电压值差异。
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