[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 01116984.2 | 申请日： | 1995-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1323063A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 铃木範夫;清田省吾;久保征治;奥山幸祐;白须辰美 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体集成电路器件的方法,包括步骤(a)用第一杂质掺入半导体衬底;(b)用导电类型与第一杂质的导电类型相反的第二杂质掺入半导体衬底;(c)在掺有第一杂质和第二杂质的所述半导体衬底主平面上方形成外延层;(d)在外延层上方形成封顶薄膜;和(e)在步骤(d)之后,对上述半导体衬底热扩散处理,形成第一半导体区域和第二半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：(a)用第一杂质掺入半导体衬底基片步骤；(b)用导电类型与上述的第一杂质的导电类型相反的第二杂质掺入半导体衬底基片的步骤；(c)在掺有上述的第一杂质和上述的第二杂质的所述半导体衬底基片主平面上方形成外延层的步骤；(d)在上述的外延层上方形成封顶薄膜的步骤；和(e)在所述步骤(d)之后，用与上述的外延层组成的半导体衬底基片经热扩散处理以扩散上述的第一杂质和上述的第二杂质的方法分别形成第一半导体区域和第二半导体区域的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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