[发明专利]介电陶瓷组合物、电子器件及其生产方法有效

专利信息
申请号: 01117382.3 申请日: 2001-02-09
公开(公告)号: CN1314321A 公开(公告)日: 2001-09-26
发明(设计)人: 福井隆史;渡边康夫;高桥三喜夫;佐藤阳 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;C04B35/49;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华,王其灏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种介电陶瓷组合物,其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分,在主要组分表达式中0.94
搜索关键词: 陶瓷 组合 电子器件 及其 生产 方法
【主权项】:
1.一种介电陶瓷组合物,其至少含有:一种含有成分表达式为{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和一种含有R(这里R是选自:钪Sc、钇Y、镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钷Pm、钐Sm、铕Eu、钆Gd、铽Tb、镝Dy、钬Ho、铒Er、铥Tm、镱Yb和镥Lu之中的至少一种元素)的氧化物的第四次要组分,其中在主要组分表达式中的符号m、x和y表示成分的摩尔比并有下列关系:0.94<m<1.02,0≤x≤1.00,和0≤y≤0.20,和基于100摩尔的主要组分,其换算为氧化物中的R,第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分<2摩尔。
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