[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01117390.4 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1314715A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,张志醒 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在不增加掩膜数量和不用黑掩膜的情况下,提高了反射型显示器件或透射型显示器件的像素的孔径比。设置像素电极(167)使其部分交叠源布线(137),该源布线(137)用于对像素之间的间隙屏蔽光,设置薄膜晶体管使其部分交叠栅布线(166),该栅布线(166)用于对薄膜晶体管沟道区屏蔽光,因此实现了高的像素孔径比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：形成在绝缘表面上的半导体层，至少具有源区、漏区和置于源区和漏区之间的沟道形成区；在所述半导体层上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成的至少一个电极，并与所述沟道形成区交叠；在所述第一绝缘膜上形成的源布线；至少覆盖所述电极和所述源布线的第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成的栅布线，并连接到所述电极。
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