[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 01117392.0 | 申请日： | 2001-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1314708A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | 千川保宪;北崎宏明 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/488;H01L25/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | IC芯片的电路形成面上避开外部引出电极来设置再布线层。再布线层就在IC芯片的电路制造时随电路形成继续形成,作为IC芯片制造的一个环节进行再布线层的形成。再布线层上设置有在芯片周围侧的第1电极焊区、在比第1电极焊区要靠近IC芯片侧的第2电极焊区,和第1电极焊区的每个和第2电极焊区的每个一对一连接的布线。因此,可以提供一种在多个半导体芯片叠层的构成中,可以增加叠层的半导体芯片尺寸的可能组合,而又抑制封装成本的上升、封装厚度的增加和封装制造生产率的降低的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，设置有外部引出电极的多个半导体芯片叠层，并在上述外部引出电极与上述半导体芯片的叠层基台的布线导通的状态下进行封装，其特征是在至少一个上述半导体芯片的电路形成面上设置：配置于芯片周围侧的第1电极焊区；配置于比上述第1电极焊区要靠近一个上层的半导体芯片侧的第2电极焊区；及具有连接上述第1电极焊区和上述第2电极焊区的布线的再布线层。
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