[发明专利]曝光方法和设备制造方法

摘要

保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。

主权项

1、投影曝光方法，通过投影光学系统将形成在掩模上的图形投影在感应基片上由此曝光感应基片，该方法包括：制备在保持掩模的同时可移动的掩模载片台；制备第1基片载片台和第2基片载片台，在保持感应基片的同时，每一个载片台都可以独立地在2维平面上移动；使用掩模干涉计系统测量掩模载片台的位置信息；执行第1曝光操作，其中，掩模载片台和第1基片载片台根据掩模干涉计系统和第1干涉计系统测得的位置信息按各自的扫描方向同步移动；在所述第1曝光操作期间，使用第2基片载片台执行基片交换操作和检测操作中的至少一个操作；在所述基片交换操作和所述检测操作中的至少一个操作过程期间，使用第2干涉计系统测量第2基片载片台的位置信息；使用第1干涉计系统开始测量第2基片载片台的位置信息；在开始之后，执行第2曝光操作，其中，掩模载片台和第2基片载片台根据掩模干涉计系统和第1干涉计系统测得的位置信息按各自的扫描方向同步移动。