[发明专利]曝光装置以及曝光方法

摘要

保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。

主权项

1、投影曝光装置，将形成在掩模上的图形投影在感应基片上由此曝光感应基片，该装置包括：投影系统，位于曝光光束的传输路径中，将图形的像投射到感应基片上；载片台系统，位于投影系统的图象平面一侧上，具有第1基片载片台和第2基片载片台，在保持感应基片的同时，每一个载片台都可以独立地在平面内移动；第1干涉计系统，与载片台系统功能相关，具有5个测量轴，在基片交换操作和第1基片载片台的检测操作中的至少一个操作过程期间监测第1基片载片台；第2干涉计系统，与载片台系统功能相关，具有5个测量轴，在第2基片载片台的曝光操作期间监测第2基片载片台；以及控制系统，与载片台系统、第1干涉计系统和第2干涉计系统功能相关，根据第1和第2干涉计系统的测量结果，通过移动第1基片载片台控制载片台系统执行基片交换操作和检测操作中的至少一个操作，同时通过移动第2基片载片台对保持在第2基片载片台上的感应基片执行曝光操作。