[发明专利]介电层的蚀刻制程无效
| 申请号： | 01118337.3 | 申请日： | 2001-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1388571A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陈永修;张欣怡;黄于玲 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种介电层的蚀刻制程,是对一硅基底表面的一介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程,以去除掉部分的介电层,并于介电层与硅基底的曝露表面上形成高分子薄膜;对高分子薄膜进行氧电浆处理,以使其结构松散;最后进行湿蚀刻制程,将高分子薄膜完全去除,并同时去除掉残留在硅基底表面的介电层。通过富高分子的电浆蚀刻制程去除第二介电层,并额外利用氧电浆处理高分子薄膜,增加蚀刻终点的稳定度,并降低离子轰击现象所产生的破坏,确保后续的湿蚀刻制程可完全去除第一介电层的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、一种介电层的蚀刻制程，其特征在于：它包括如下步骤：(1)提供一硅基底，其表面上覆盖有一介电层；(2)对该介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程，以去除掉部分的该介电层，并于该介电层与硅基底的曝露表面上形成一高分子薄膜；(3)对该高分子薄膜进行一氧电浆处理；(4)进行一湿蚀刻制程，以将该高分子薄膜完全去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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