[发明专利]防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造无效
| 申请号： | 01118679.8 | 申请日： | 2001-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1391269A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐震球;钟振辉;林义雄 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造，包含提供一半导体基底，其表面上设有至少一内连导线；于基底和内连导线的表面上形成应力缓冲层于应力缓冲层表面上形成蚀刻阻挡层；于蚀刻阻挡层表面上形成介电层；对介电层进行平坦化处理；进行介层窗蚀刻制程，于内连导线上方形成一介层窗。切实地减少由于微影蚀刻程序对不准而造成的漏电流的缺陷，更固定了金属导电层不发生崩塌，提高产品的可靠度和优良率，并可进一步达成积体电路缩小化的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 介层窗 过度 蚀刻 方法 及其 构造 | ||
【主权项】：
1、一种防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：至少包含下列步骤：(1)提供一半导体基底，其表面上设有至少一内连导线；(2)于该基底和内连导线的表面上形成应力缓冲层：(3)于该应力缓冲层表面上形成蚀刻阻挡层；(4)于该蚀刻阻挡层表面上形成介电层；(5)对该介电层进行平坦化处理；(6)进行介层窗蚀刻制程，于该内连导线上方形成一介层窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
