[发明专利]半导体存储装置的驱动方法无效

专利信息
申请号: 01118832.4 申请日: 2001-06-19
公开(公告)号: CN1329360A 公开(公告)日: 2002-01-02
发明(设计)人: 嶋田恭博;加藤刚久 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;G11C11/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 黄永奎
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储装置的驱动方法,该半导体存储装置包括强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。当读出储存在强电介质电容器30中的数据时,把低于该强电介质电容器30的矫顽电压的读出电压外加到强电介质电容器30的上电极31上,当除去该读出电压时,能使强电介质膜33的极化偏位返回到读出数据前的偏位上。提高具有强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 驱动 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置的驱动方法,是具有利用强电介质膜的极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器,和连接所述强电介质电容器的上电极以及下电极中一方电极并检测所述强电介质膜极化偏位的检测部件的半导体存储装置的驱动方法;其特征在于:包括:通过将读出电压外加到所述强电介质电容器的上电极以及下电极中的另一方电极上,利用所述检测部件检测所述强电介质膜的极化偏位,来读出所述多值数据的第1工序;除去外加在所述另一方电极上的所述读出电压的第2工序;在所述第1工序中外加的所述读出电压值的大小是:当利用所述第2工序除去所述读出电压时,能使所述强电介质膜的极化偏位返回到读出所述多值数据之前的偏位上。
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