[发明专利]改进了的集成电路结构无效

专利信息
申请号: 01119051.5 申请日: 2001-05-14
公开(公告)号: CN1324109A 公开(公告)日: 2001-11-28
发明(设计)人: D·J·阿尔科;小F·J·唐斯;G·W·琼斯;J·S·克雷斯格;C·L·泰特兰-帕罗马基 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/485;H01L21/60;H01L21/48;H05K3/46
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,王忠忠
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种芯片连接件和镀敷通孔密度提高了的半导体芯片载体。确切地说是一种其中具有多个镀敷通孔,且其上具有抗疲劳重新分布层的衬底。重新分布层包括多个选择性地位于镀敷通孔上方并与镀敷通孔接触的通道孔。衬底还包括接地平面、二对信号平面、以及二对电源平面,其中第二对电源平面直接位于外介电层下方。掩埋镀敷通孔在衬底内。
搜索关键词: 改进 集成电路 结构
【主权项】:
1.一种互连结构,它包含:衬底;位于衬底内的镀敷通孔;衬底第一和第二表面上的重新分布层;以及重新分布层中选择性地位于镀敷通孔上并电连接镀敷通孔的通道孔。
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