[发明专利]液相沉积法的单面生长与量产方法及装置

摘要

本发明提出一种液相沉积法的单面生长与量产方法,用以对一晶片进行一液相沉积工艺过程。它是通过将晶片置放于一晶片承载器上,并使一生长液槽的一开口与晶片承载器上的晶片接合,而于进行所述液相沉积工艺过程后,将上述开口朝上,以取出所述晶片承载器上的晶片。另外,本发明还提出一种液相沉积法的单面生长与量产装置,它是由晶片承载器及生长液槽构成,借助生长液槽的开口与晶片承载器上晶片的接合以进行液相沉积工艺过程。

主权项

1.一种液相沉积法的单面生长与量产方法，用以对一晶片进行一液相沉积工艺过程，其特征在于，包括下列步骤：提供一第一晶片承载器，于所述第一晶片承载器上置放所述晶片；提供一生长液槽，所述成长液槽具有一第一开口，并使所述生长液槽的第一开口与所述第一晶片承载器上的晶片接合；以及提供生长溶液，置入所述生长液槽，于进行所述液相沉积工艺过程后，将所述生长液槽的第一开口朝上，以取出所述第一晶片承载器上的晶片。