[发明专利]模拟缺陷晶片和缺陷检查处方作成方法无效
| 申请号： | 01119349.2 | 申请日： | 2001-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1326221A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 野田智信 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/70;H01L27/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用具备对于模拟正常图形具有在高度方向上的变化和在平面形状上的变化的模拟缺陷图形的模拟缺陷晶片作成暂定检查处方,对于该模拟缺陷晶片用实际的缺陷检查装置进行缺陷检查,使所检测出来的缺陷数据与预先得到的上述模拟缺陷晶片的模拟缺陷数据进行对照使缺陷检测灵敏度定量化,一直到可以得到所希望的缺陷检查率为止,变更处方参数修正暂定检查处方,把得到了上述所希望的缺陷检测率时的处方参数定为上述缺陷检查装置的处方参数。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 缺陷 晶片 检查 处方 作成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种模拟缺陷晶片，具备：在半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有第1高度的模拟正常图形；在上述半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有与上述第1高度不同的第2高度的第1模拟缺陷图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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