[发明专利]减少光刻工艺中光学近接效应偏差的方法有效
| 申请号： | 01119767.6 | 申请日： | 2001-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387089A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王立铭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/22 | 分类号： | G03F7/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种减少光学近接效应偏差的方法,应用于半导体的光刻工艺,将半导体基板上因厚度或是反射率不均匀所引起的光学近接效应偏差给消除,其特点是根据所述半导体基板上每一曝光区域的光学近接效应的偏差,调整每次曝光步骤的曝光参数设定(如数值孔径、部分同调、曝光能量、聚焦深度等),以补偿所述曝光区域光学近接效应的偏差,而得到一固定且均匀的光学近接效应结果。依此方法所生产的芯片,将具有相同的品质与效能控制。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 光刻 工艺 光学 效应 偏差 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少光学近接效应偏差的方法，应用于半导体光刻工艺中，其特征在于，根据一半导体基板上每一曝光区域的光学近接效应的偏差，调整每次曝光步骤的曝光参数设定，以补偿所述曝光区域光学近接效应的偏差，而得到一固定且均匀的光学近接效应结果。
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