[发明专利]介质陶瓷和电子元件无效

专利信息
申请号: 01119797.8 申请日: 2001-05-29
公开(公告)号: CN1330371A 公开(公告)日: 2002-01-09
发明(设计)人: 佐藤茂树;寺田佳弘;藤川佳则 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华,周慧敏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了介质陶瓷和能提高在负载下高温绝缘电阻的耐久性,即IR退化寿命的电子元件。一种介电层包括含BaTiO3为主要成分的介质陶瓷;及含下列四种辅助成分Mg、Ca、Ba、Sr和Cr之中至少一种元素;SiO2;V、Mo和W中至少一种元素;及Er、Tm、Yb、Y、Dy和Ho中至少一种元素。优选在介质陶瓷中具有空隙的晶粒的存在率为10%或更低,平均晶粒直径大于0.1μm但≤0.7μm。改善IR退化寿命。优选使用草酸盐法或固相法合成的BaTiO3粉末作为原料,该BaTiO3粉末具有Ba/Ti比例大于1而小于1.007。
搜索关键词: 介质 陶瓷 电子元件
【主权项】:
1.介质陶瓷,它包含:起主要成分作用的钛酸钡;第一种辅助成分,它含有镁(Mg)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)和铬(Cr)之中的至少一种元素;第二种辅助成分,它含有SiO2;第三种辅助成分,它含有钒(V)、钼(Mo)和钨(W)之中的至少一种元素;及第四种辅助成分,它含有铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、钇(Y)、镝(Dy)和钬(Ho)之中的至少一种元素;其中具有空隙的晶体颗粒的存在率,依据计数比率为10%或更低。
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