[发明专利]对准方法、套刻检查方法和光掩模无效
| 申请号： | 01120876.7 | 申请日： | 2001-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1329357A | 公开（公告）日： | 2002-01-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤隆;井上壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/30;H01L21/31;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用第1、第2光掩模21、22,与器件图形一起,在晶片1上边依次形成对准标记41和第1、第2套刻偏差检查用标记42、43的情况下,这些标记都形成为具有器件图形的一部分或相同的尺寸、形状,因此,不论是对准标记41还是套刻偏差检查用标记42、43,都与器件图形同程度地具有起因于在器件图形复制时使用的曝光光学系统的象差的影响的位置偏差误差和起因于其后加工的位置偏差误差,其结果是可以正确地把握位置偏差量,可以实现高精度的对准和位置修正。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 方法 检查 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模的对准方法，具备：用至少含有第1器件图形和具有上述第1器件图形的一部分或相同图形形状的对准标记的第1光掩模，在晶片上边，与上述第1器件图形一起，形成上述对准标记的步骤；根据上述对准标记对在上述晶片上边形成的光刻胶膜进行第2光掩模的定位的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
