[发明专利]氧化锆基陶瓷薄膜的制备方法无效
申请号: | 01121365.5 | 申请日: | 2001-06-08 |
公开(公告)号: | CN1328173A | 公开(公告)日: | 2001-12-26 |
发明(设计)人: | 刘维民;陈云霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C20/08 | 分类号: | C23C20/08 |
代理公司: | 中国科学院兰州专利事务所 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明提供一种用于减摩、抗磨的氧化锆基陶瓷薄膜的制备方法。它包括以锆无机盐为主原料,利用溶胶-凝胶和浸涂技术制备均匀致密氧化锆基陶瓷薄膜。所制得的薄膜在低负荷下与不同硬度的摩擦副对摩时均具有长的耐磨寿命和低的摩擦系数。其特点是利用溶胶-凝胶技术,以锆无机盐为原料,在不同的底材上制备一系列氧化锆基陶瓷薄膜,该氧化锆基陶瓷薄膜可用作低负荷下的减摩抗磨涂层。 | ||
搜索关键词: | 氧化锆 陶瓷 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化锆基陶瓷薄膜的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:(1)将锆无机盐和/或含一定量的稳定剂的掺杂物加热溶解于无水乙醇中,调节PH=1~3,将制得的溶液于水浴中陈化24~96小时得澄清透明的氧化锆基前驱体溶胶,稳定剂的添加量是锆无机盐、掺杂物摩尔总量的0~2倍;(2)在溶胶中加入有机成膜助剂,有机成膜助剂的添加量为前驱体溶胶体积量的0~1.0%;(3)将制得的溶胶用浸渍-提拉法在经处理的载玻片、单晶硅、铝、不锈钢底材上制备溶胶薄膜,制膜温度15~25℃,相对湿度40~60%,控制提拉速度10~90cm/min获得不同厚度的溶胶薄膜;(4)溶胶薄膜在空气中室温~70℃保温,然后加热至400~700℃并保温,在炉中自然冷却至室温,获得陶瓷薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
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