[发明专利]半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置

摘要

提供一种可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性的半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置。该半导体发光元件的特征在于,向蓝宝石衬底20上的InGaN活性层22注入电流的p型电极26具有五层结构,即,包括作为与p型GaN层24欧姆接触的欧姆电极的Ni层32、作为阻挡电极的Mo层33、作为高反射率电极的Al层34、作为阻挡电极的Ti层35、和作为提高与引线框12上的分支柱13的接触性的覆盖电极的Au层36。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于：该半导体发光元件包括：在半导体衬底或绝缘衬底上设置的第一导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上设置的发生并放出自然光的活性层；在上述活性层上设置的第二导电型的第二半导体层；在上述半导体衬底的内面或上述第一半导体层上设置的与上述活性层和上述第二半导体层隔离的第一电极；以及在上述第二半导体层上设置的第二电极，上述活性层发出的光从上述半导体衬底或绝缘衬底侧向外部取出，上述第二电极包括：可与上述第二半导体层欧姆接触的欧姆电极；在上述欧姆电极上设置的由高熔点金属构成的第一阻挡电极；以及在上述第一阻挡电极上设置的、对上述活性层发出的光的波长具有高反射率的高反射率电极，上述第一阻挡电极用来防止上述欧姆电极和上述高反射率电极内的原子相互扩散。