[发明专利]磁阻效应型元件及用它制作的磁存储元件和磁头无效
| 申请号： | 01122062.7 | 申请日： | 2001-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1337749A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 小田川明弘;足立秀明;平本雅祥;松川望;榊间博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/02;G11C11/14;G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的元件含有具有以式L2(A1－zRz)2An－1MnO3n+3+x表示的组成,结晶构造内具有(L—O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体,通过上述(L—O)2层施加偏磁,实现了磁阻隧道效应。其中A表示从Ca、Sr和Ba中选出的至少1种碱土类元素、L表示从Bi、Tl和Pb中选出的至少1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素,n为1,2或3,X,Z分别为－1≤x≤1,0≤z≤1中的值。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 制作 存储 磁头 | ||
【主权项】：
1、一种磁阻效应型元件，其特征是含有以式L2(A1-zRz)2An-1MnO3n+3+x表示的组成，在结晶构造内具有(L-O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着上述氧化物并与上述氧化物连接形成的一对强磁性体，其中A表示从Ca、Sr和Ba中至少选出的1种元素、L表示从Bi、Tl和Pb中至少选出的1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素，n为1，2或3，X，Z分别为-1≤x≤1，0≤z≤1中的值。
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