[发明专利]存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器及其工作方法无效
| 申请号： | 01122144.5 | 申请日： | 2001-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1337711A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | P·佩赫米勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C8/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成存储器,其带有具有磁阻存储效应的存储单元(MC),所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间。为了读取与所述行线(WL2)相连的存储单元(MC2)的数据信号(DA),所述行线之一(WL2)可以在选择电路(2)内与选择信号(GND)的端子相连。如此地控制其它的行线(WL0,WL1,WLm),使得其在所述选择电路(2)内被电隔离开,以便读取数据信号(DA)。由此可以实现较可靠的读取过程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 具有 磁阻 效应 集成 存储器 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
1.其存储单元(MC)具有磁阻存储效应的集成存储器，所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间，其特征在于：-所述的行线(WL0～WLm)与一个选择电路(2)相连，-为了读取与所述行线(WL2)相连的存储单元(MC2)的数据信号(DA)，所述行线之一(WI2)可以在所述选择电路(2)内与选择信号(GND)的端子相连，-如此地构造和通过控制装置(4)控制所述的选择电路(2)，使得所述不与存储单元(MC2)相连的行线(WL0，WL1，WLm)在所述选择电路(2)内被电隔离开，以便读取所述的数据信号(DA)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01122144.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
