[发明专利]存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器

摘要

一种集成存储器,它具有一些有磁阻存储效应的存储单元(MC),所述的存储单元分别被连接在列线(BL0～BLn)与行线(WL0～WLm)之间。所述的行线(WL2)可以与选择信号(GND)的端子相连,以便通过与存储单元(MC3)相连的列线(BL2)读取存储单元之一(MC3)的数据信号(DA),或向存储单元之一(MC3)写入数据信号(DA)。如此地控制不与存储单元(MC3)相连的一个或多个列线(BL0,BL1,BLn),使得其在读放大器(3)内被电隔离开,以便读取或写入数据信号(DA)。由此,在存在故障存储单元(MC2)的情况下,可以实现有序地读取或写入所述存储单元(MC3)的数据信号(DA)。

主权项

1.一种集成存储器，-具有一些带有磁阻存储效应的存储单元(MC)，所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间，-其中，所述的列线(BL0～BLn)和读放大器(3)相连，-其中，所述的行线(WL0～WLm)均可以与选择信号(GND)的端子相连，以便通过与所选存储单元(MC3)相连的列线(BL2)读取所选存储单元之一(MC3)的数据信号(DA)，或向所选存储单元之一(MC3)写入数据信号(DA)，其特征在于：如此地构造和通过控制装置(4)控制所述的读放大器(3)，使得至少一个不与所选存储单元(MC3)相连的、而与至少一个故障存储单元(MC2)相连的列线(BL0)在读放大器(3)内被电隔离开，以便读取或写入数据信号(DA)，其中所述的故障存储单元在所述的行线(WL2)和列线(BL0)之一之间引起了短路(KS)。