[发明专利]化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 01122494.0 | 申请日： | 2001-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1333319A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 松井之辉;南幅学;矢野博之;福岛大 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C08J5/14;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | CMP用淤浆,它具有液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 用淤浆 及其 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.CMP用淤浆，它包括：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而所述有机粒子与无机粒子通过热结合而一体化。
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