[发明专利]真空电弧蒸发源及使用它的薄膜形成装置无效
| 申请号： | 01122564.5 | 申请日： | 2001-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1332266A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 村上浩 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 真空电弧蒸发源30通过真空电弧放电来蒸发阴极以便由此产生含有阴极材料的等离子体36和38。真空电弧蒸发源30具有含有互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的两个阴极32和34。阴极32和34通过绝缘材料40互相同轴地配置。可交换地使用这两个阴极32和34,以便可以通过在数量上少于先有技术的蒸发源来形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 电弧 蒸发 使用 薄膜 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.一种真空电弧蒸发源，它包括：含有互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的多个阴极，其中所述多个阴极被真空电弧放电蒸发而由此产生具有阴极材料的等离子体。
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