[发明专利]光元件及其制造方法和电子装置无效
| 申请号： | 01122850.4 | 申请日： | 2001-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1333570A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 和田健嗣 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/00;H01L21/60;H01L21/28;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供能在谋求装置的小型化的同时、确保两面的导电性的导通的光元件及其制造方法和电子装置。光元件的制造方法具有下述步骤在具备受光部13和与受光部13导电性地连接的电极2的半导体元件3上形成贯通孔4;以及形成导电层8,该导电层8从形成了半导体元件3的受光部13的一侧的第1面B一侧延伸到与该第1面B相对的第2面A,且包含贯通孔4的内壁面。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光元件的制造方法，其特征在于，具有下述步骤：在具备光学部和与上述光学部导电性地连接的电极的半导体元件上形成贯通孔；以及形成导电层，该导电层从形成了上述半导体元件的上述光学部的一侧的第1面延伸到与上述第1面相对的第2面，且包含上述贯通孔的内壁面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
