[发明专利]具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器有效
| 申请号： | 01123108.4 | 申请日： | 2001-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1353421A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器,与MTJ存储单元的行对应地配置读出字线(RWL)和写入字线(WWL),与MTJ存储单元的列对应地配置位线(BL)和基准电压布线(SL)。邻接的MTJ存储单元共有这些信号布线中的至少1条。其结果,由于可缓和在存储器阵列(10)的整体中配置的信号布线间距,可有效地配置MTJ存储单元,故可使存储器阵列(10)实现高集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 集成化 存储器 阵列 薄膜 磁性 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：具备具有配置成行列状的多个磁性体存储单元(MC)的存储器阵列(10)，上述多个磁性体存储单元的每一个包括：磁存储部(MTJ)，其电阻值根据由第1和第2数据写入电流(±Iw，Ip)写入的存储数据的电平而变化，存储单元选择门(ATR)，用来在数据读出时使数据读出电流(Is)通过上述磁存储部；多条读出字线(RWL)，与上述磁性体存储单元的行对应地设置，用来在上述数据读出时根据行选择结果使对应的上述存储单元选择门工作；多条数据线(BL)，与上述磁性体存储单元的列对应地设置，用来在数据写入时和上述数据读出时分别流过上述第1数据写入电流和上述数据读出电流；多条写入字线(WWL)，与上述行对应地设置，为了在上述数据写入时流过上述第2数据写入电流，根据行选择结果有选择地被激活；以及多条基准电压布线(SL)，与上述行和上述列的某一个对应地设置，用来供给在上述数据读出时使用的基准电压，其中，邻接的上述磁性体存储单元共有上述多条写入字线、上述多条读出字线、上述多条数据线和上述多条基准电压布线中的至少1个中的对应的1条。
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