[发明专利]晶片刻蚀机的操作方法无效
| 申请号： | 01123129.7 | 申请日： | 2001-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1396634A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁明中;蔡信谊;余旭升;李俊鸿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,杨梧 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶片刻蚀机的操作方法，该操作方法包含有在一预热阶段对该晶片刻蚀机施加一第一功率以缩短该晶片刻蚀机的预热时间，在一刻蚀阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率的第二功率以对一晶片进行刻蚀，以及在一清洗阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率而高于该第二功率的第三功率以清洗该晶片刻蚀机。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 刻蚀 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶片刻蚀机的操作方法，该操作方法包括：在一预热阶段对该晶片刻蚀机施加一第一功率以缩短该晶片刻蚀机的预热时间；在一刻蚀阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率的第二功率用以对一晶片进行刻蚀；以及在一清洗阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率且高于该第二功率的第三功率用以清洗该晶片刻蚀机。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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