[发明专利]制作具有对称域值电压的NMOS以及PMOS的方法

摘要

本发明提供一种在一半导体晶片上制作一NMOS晶体管以及一PMOS晶体管的方法。该方法先在一半导体晶片的硅基板表面形成一氧化硅层，接着进行一原位掺杂化学气相沉积工艺，以便在该氧化硅层表面形成一多晶锗化硅(Si1－xGex，x＝0.05～1.0)层。随后进行一刻蚀工艺，刻蚀该多晶锗化硅层，以在该硅基板表面上形成至少一第一栅极以及至少一第二栅极。然后在各该栅极周围形成一隔离壁，并依次进行一第一及第二离子注入工艺，以分别在该第一栅极与第二栅极的相对两侧的该硅基板表面上形成两第一掺杂区及第二掺杂区。最后进行一高温退火工艺，以驱赶入各该掺杂区中的杂质。

主权项

1.一种在一半导体晶片上制作一N沟道MOS晶体管(Nchannelmetal-oxidesemiconductor，NMOS)以及一P沟道(P-channel)MOS晶体管(PMOS)的方法，该方法包括下列步骤：在该半导体晶片的硅基板表面形成一个氧化硅层；进行一原位掺杂(in-situdoped)化学气相沉积(CVD)工艺，以便在该氧化硅层表面形成一多晶锗化硅层；进行一刻蚀工艺，刻蚀该多晶锗化硅层，以便在该硅基板表面上形成至少一第一栅极以及至少一第二栅极；在各该栅极周围形成一隔离壁；进行一第一离子注入工艺(ionimplantation)，以在该第一栅极的相对两侧的该硅基板表面上形成两第一掺杂区；进行一第二离子注入工艺，以在该第二栅极的相对两侧的该硅基板表面上形成两第二掺杂区；以及进行一高温退火工艺，以驱赶入(drivingin)各该掺杂区中的杂质。