[发明专利]氮化物只读存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 01123714.7 | 申请日： | 2001-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1399331A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宋建龙 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化物只读存储器(NitrideReadOnlyMemory；NROM)的制造方法。本发明的方法在制造NROM单元时，先形成一层或多层的隔离层覆盖氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide－Nitride－Oxide；ONO)结构与栅极，再形成氮化硅(SiNx)间隙壁(Spacer)，来保护NROM单元。由于氮化硅间隙壁若直接与栅极接触，会导致NROM组件的阈值电压(ThresholdVoltage)升高，因此本发明利用一层或多层由氧化硅(SiOy)所构成的隔离层，隔离NROM组件及氮化硅间隙壁。不仅可保护NROM组件，且可避免使用氮化硅间隙壁所造成的副作用及组件之间产生泄漏电流(LeakageCurrent)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物只读存储器的制造方法，至少包括：提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一栅极覆盖该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的一部分；形成一隔离层覆盖该栅极与该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的另一部分；形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该隔离层的侧壁；以及形成一绝缘层覆盖该基材、该间隙壁、以及该隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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