[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01124800.9 | 申请日： | 2001-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1337745A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 椎木美香;须藤稔 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82;H01C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种小型化的集成的半导体器件,它具有构成梯形电路之类的电阻器。绝缘膜被形成在制作有半导体元件的半导体衬底上,用CMP之类来执行顶部表面的整平。然后,不仅经由整平的绝缘膜在场区上,而且在制作半导体元件的有源区上,制作电阻器。而且,绝缘膜还被形成在电阻器上,并穿过接触孔在电阻器中制作电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
权利要求书1.一种半导体器件，它包含：制作在半导体衬底上的半导体元件；制作在半导体元件上的具有平坦的顶部表面的绝缘膜；以及制作在绝缘膜上的电阻器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
