[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01124865.3 | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1332476A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/14;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | TFT的OFF电流减少。本发明提供的半导体器件包括衬底;为了与衬底接触形成的遮蔽膜;为了覆盖遮蔽膜形成在衬底上的平面化绝缘膜;为了与平面化绝缘膜接触形成的半导体层。半导体器件的特征在于遮蔽膜与半导体层叠加、并且平面化绝缘膜夹在它们之间,并且在半导体层形成之前通过CMP对平面化绝缘膜抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在绝缘表面上的遮蔽膜；形成在绝缘表面上以覆盖遮蔽膜的平面化绝缘膜；以及为了与平面化绝缘膜接触而形成的半导体膜，其特征在于遮蔽膜与半导体层叠加，并且平面化绝缘膜夹在它们之间、以及在半导体层形成前，通过CMP对平面化绝缘膜抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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