[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

摘要

本发明的课题是,提供COD退化分散度小的高可靠性半导体激光装置。在激射波长为770～810nm的半导体激光器10中,将杂质掺入半导体激光器端面附近的MQW有源层16,形成无序化区域,并以此作为窗口层20,以激发光照射该窗口层20,测量窗口层20的光荧光波长λdp1(nm),将以激发光照射有源层16时所产生的光荧光的波长λap1(nm)同以激发光照射窗口层20时所产生的光荧光的波长λdp1(nm)之差定义为蓝移量λb1(nm),借助于该蓝移量λb1可在制造过程的各阶段预测产品的COD水平。

主权项

1.一种激射波长为770～810nm的半导体激光器，包括：第1导电类型的半导体衬底；在该半导体衬底上设置的第1导电类型的第1包覆层；在该第1包覆层上设置的量子阱结构的有源层；在该有源层上设置的第2导电类型的第1个第2包覆层；位于激光谐振腔端面附近的、包含上述有源层的从上述第1个第2包覆层的表面将杂质掺入半导体衬底一侧的叠层内而设置的无序化区域；以及经上述第1个第2包覆层与该无序化区域的有源层相对、包含在上述第1个第2包覆层的表面上设置的第2导电类型的第2个第2包覆层、同时在上述谐振腔长边方向延伸的光波导，其特征在于：若将以激发光照射上述无序化区域时所产生的光荧光的波长记作λdp1(nm)，以激发光照射有源层时所产生的光荧光的波长记作λap1(nm)，并将蓝移量λb1(nm)定义为λb1＝λap1-λdp1，则λb1≥20成立。