[发明专利]热板及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01125952.3 | 申请日： | 2001-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1335640A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | 坚田富夫;和田纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/68;B25B11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法,在放置在半导体制造装置的静电吸盘热板10上吸持晶片3时,从晶片的中央部向外周依次施加吸盘力。从中央部4向外周方向将静电吸盘电极2至少分割成2部分,并从中央的内周部4向外周部5依次施加吸盘电力。首先从晶片施加吸盘力并升温,这时晶片外周部由于吸盘力弱而顺利产生热膨胀,应力保持在低状态,能防止晶片破损。事前感知晶片的背面状态,所以能选择预先决定的升压、除电参数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种热板，具备带有放置半导体衬底的凸状面的板本体和在上述板本体内形成的发热电极以及在上述板本体内形成的静电吸盘电极，其特征在于，半导体衬底被放置在上述板本体的凸状面上时，半导体衬底和凸状面之间的距离从上述板本体的中心部分向外周方向变大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
