[发明专利]变功率送电冶炼碳化硅的方法无效
申请号: | 01128529.X | 申请日: | 2001-08-08 |
公开(公告)号: | CN1333181A | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 王述平 | 申请(专利权)人: | 王述平 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 414400*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种变功率送电冶炼碳化硅的方法。主要特征是将冶炼过程分为前中后三期,控制每期时间、温度、炉阻和送电功率。使能源在冶炼过程中得到合理分配,充分发挥其效率,达到节能降耗的效果。 | ||
搜索关键词: | 功率 送电 冶炼 碳化硅 方法 | ||
【主权项】:
1、一种变功率送电冶炼碳化硅的方法,其特征在于:将冶炼过程分为三期,即冶炼前期、冶炼中期和冶炼后期;控制时间、温度、炉阻和送电功率;冶炼时间为连续20小时,0~8小时为前期,8~15小时为中期,15~20小时为后期;冶炼前期采用125%平均功率送电,使冶炼炉内温度上升至2000℃,炉阻达到初始值的55%,冶炼中期,输入功率视炉阻变化而变化,炉阻变小减小输入功率,炉阻变大增大输入功率,控制炉内温度在2000℃~2200℃,冶炼后期,输入功率为平均功率的85%,控制炉内温度在2200℃~2000℃。
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