[发明专利]半导体金属蚀刻工艺的方法无效
| 申请号： | 01129353.5 | 申请日： | 2001-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1327260A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 邱建智;蔡信谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体金属蚀刻工艺的方法。是在蚀刻金属层与抗反射层时,先运用一规范特定的工艺参数的抗反射层蚀刻步骤,以蚀刻抗反射层与一特定厚度的部分该金属层,之后再进行金属层的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属 蚀刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：其步骤包括：提供一基底，该基底上已形成一铝铜金属层，且该铝铜金属层上已形成一氮化钛抗反射层；进行一第一阶段蚀刻步骤，以蚀刻该氮化钛抗反射层与一特定厚度的部分该铝铜金属层，该第一阶段蚀刻步骤的工艺参数包括：上电极电源在400W～700W之间；下电极电源在100W～200W之间；氯与三氯化硼的气体比值在0.6～1.5之间；氮气流速小于10sccmCHF3流速小于20sccm；总气体流速在50～200sccm之间；操作压力在8～15mTorr之间；进行一第二阶段蚀刻步骤，以蚀刻剩余的该铝铜金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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